场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。A.原极；B.漏极；C.栅极；
