场效应晶体管是用()控制漏极电流的。
A、栅源电流
B、栅源电压
C、漏源电流
D、漏源电压
场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
28、场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。
场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。
1、场效应晶体管是用（）控制漏极电流的 。A．栅源电压B．漏源电压C．栅源电流D．漏源电流
31、MOS晶体管属于电压控制器件，漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制，与漏源电压VDS无关。
