A、掺杂浓度
B、工艺
C、温度
D、晶体缺陷
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
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在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。A.I型半导体B.杂质浓度C.杂质类型D.温度
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于 。A.杂质浓度B.温度C.本征半导体D.掺杂工艺
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于温度。
3、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于温度。
在杂质半导体中,多数载流子的数量取决于掺杂浓度。