膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。
膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位()A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+
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兴奋性与抑制性突触后电位的相同点是()A、突触后膜去极化B、都可向远端传导C、都与突触后膜对Na+通透性增加有关D、出现“全或无”式电位变化E、递质使突触后膜对某些离子通透性改变的结果
发生抑制性突触后电位时，膜通透性增大的离子是A Na+ B K+ C Ca2+ D CI- E HCO3-
先天性肌强直的原因是( )。A、肌膜对钠离子的通透性增加B、肌膜对钠离子的通透性减退C、肌膜对氯离子的通透性增加D、肌膜对氯离子的通透性减退E、肌膜对钾离子的通透性增加
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+
IPSP的产生主要由于突触后膜对下列哪种离子通透性增高所致A.Mg B.Ca C.Clˉ D.Na E.K
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A.Ca、K、Cl，尤其是Ca B.Na、Cl、K，尤其是K C.K、Ca、Na，尤其是Ca D.K、Cl，尤其是Cl E.Na、K，尤其是Na
