试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
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刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？
试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。
