IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:()A.GTOB.MOSFETC.PICD.IGBT
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IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT
绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。
功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管简称（）。A、MOSFETB、IGBTC、GTRD、GTO
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
