JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
当PN结外加正向电压时，耗尽层()A、变宽B、变窄C、宽度不变
点击查看答案
当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
PN结具有单向导电性，可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。（）
稳压管是利用PN结的（）特性来实现稳压的。A、正向电压B、反向击穿电压C、最大整流电流
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
PN结又可以称为耗尽层。
